/       /       /    Транзистори SPA20N60C3, що були у вжитку: щось дивне
Підтримати проєкт на Patreon


Транзистори SPA20N60C3, що були у вжитку: щось дивне

$5.30 10шт без учета доставки
Перейти до магазину
Треті отримані транзистори, і коли я починав готувати огляд, то думав, що швиденько перевірю та накидаю невеликий огляд, але все пішло зовсім не так, як я задумав...

Нагадую: щоб постійно бути в курсі нових тем у блозі, рекомендую підписатися на мій інстаграм, де я публікуватиму сповіщення про всі нові теми й, можливо, писатиму просто про щось цікаве — посилання на акаунт

Також підписатися на оновлення та нові статті можна в телеграм-каналі — https://t.me/KirichBlog

Для початку кілька слів про магазин. Транзистори я купував у тому магазині, на який веде посилання, але спочатку посилання було іншим. Тобто я вибрав, купив, потім магазин чомусь закрився, продавець перенаправив на інший, а зараз магазин знову працює, але посилання змінилися, а за старим відкривається порожня сторінка. Що це було і навіщо — гадки не маю.

Отже, йтиметься про транзистори з маркуванням SPA20N60C3, даташит на які легко знайти в інтернеті даташит.
Ці транзистори трапляються досить часто, наприклад у цьому або цьому блоках живлення. Хоча, наприклад, під час ремонту блока живлення з цієї статті виявилося, що ставлять і SPA17N80C3: струм нижчий, напруга вища.


Але треба бути пильним, бо іноді продавці скорочують маркування до 20N60C3, а під ним є ще й HGTG20N60C3, а це вже взагалі IGBT-транзистор.


Купив 10 штук: по-перше, на пробу, а по-друге, вони не так часто потрібні.


На вигляд явно були у вжитку, тут, як і з попередніми, запитань немає.


Перед тестами помітив, по-перше, що в одного транзистора відламався середній вивід, а по-друге, що маркування трохи відрізняється: у 8 шт. воно таке, як ліворуч, а в парі штук праворуч — інше.


Для початку перевіримо ємність затвора. Як видно з даташита, її вимірюють за напруги 25 вольт між стоком і витоком.


Для перевірки беремо регульований блок живлення, виставляємо 25 вольт і про всяк випадок обмежуємо струм — я ставлю 100мА.
Також, звісно, беремо вимірювач ємності.


У коментарях до минулого огляду мене просили пояснити, як вимірювати ємність. Пояснюю: тут усе дуже просто.
Підключаємо плюс від блока живлення до середнього виводу — стоку
Мінус — до правого виводу, витоку
Один щуп вимірювача ємності — до лівого виводу, затвора
Другий щуп вимірювача — до правого виводу, витоку.

Усе, подаємо напругу й дивимося на ємність. Але будьте уважні: не закоротіть випадково вивід затвора з виводом стоку, бо можете спалити вимірювач ємності.


Різниця між вимірюванням ємності без напруги (але з підключеним БЖ) і під напругою — 6219пФ і 2334пФ.


Перевірив усі десять транзисторів, виміряв ємність затвора та опір відкритого каналу за напруги 10 вольт. Трохи дивним видався один транзистор з ємністю близько 2000пФ, а також невеликий розкид опору.
Також перевірив, як змінюється опір відкритого каналу залежно від напруги на затворі, відповідно для екземплярів 1, 5 і 9.
Видно, що вже за 6 вольт опір помітно падає, а далі змінюється мало.


Наступний тест обіцяв бути швидким і простим, але, як виявилося, забрав купу часу й привів до дивних висновків.
Як видно з даташита, вимірювати треба за напруги 10 вольт на затворі та струму 13.1А — нічого складного.


Подав силову напругу 5 вольт з обмеженням струму на 13.1А, потім керувальну напругу 10 вольт і... напруга на відкритому транзисторі спочатку впала приблизно до 1.8 вольта, але потім почала дуже різко зростати — настільки різко, що я ледве встиг сфотографувати початкове значення. Між початковими 1.7 вольта й майже 4, як на фото, минуло буквально кілька секунд.


Так, не зрозумів, якась дурня. Для подальших тестів знижую струм до 10 А, а напругу силового кола — до 4.5 вольта, щоб перевірка стала безпечнішою.
Запускаємо, дивимося: почав із транзистора номер 1.
Ті самі приблизно 1.7–1.8 вольта на самому початковому етапі, буквально на частки секунди, різке зростання — і впираємося в обмеження напруги, встановлене на БЖ, струм відповідно починає знижуватися.
У даташиті видно, що опір транзистора досить сильно залежить від температури: 0.19 Ома за 25 градусів і 0.43 Ома за 150.

Виходить, що між першим і другим фото насправді минає близько 3–5 секунд, а якщо потримати транзистор так близько 10–12 секунд, то він нагрівається приблизно до 120 градусів.


Беремо транзистор номер 5 — ситуація повторюється точнісінько так само.


Транзистор номер 9 — так само, повністю аналогічно. Ну хоч у цьому стабільність, подумав я, і першою конструктивною думкою було: підробка, поставили маленький кристал, тепло просто не встигає відводитися.
Судячи з результатів, температура починає зростати, опір також зростає, зі збільшенням опору на кристалі зростає потужність, що виділяється, і так далі. У результаті кристал нагрівається до 150 градусів і вище, а опір піднімається до 0.42–0.45 Ома — начебто навіть відповідає даним із даташита, але якось усе дуже швидко...


Далі просто з цікавості взяв транзистор номер 10, який був парним до транзистора номер 9 — це було видно за зовнішнім виглядом і слідами термопасти.
І тут на мене чекало друге здивування: цей поводився так, але не зовсім так. По-перше, напруга зростала в кілька разів повільніше, а по-друге, після цього зростання ще більше сповільнилося, і після 3.8 вольта вона ледве повзла, тобто настав тепловий баланс, а температура й опір змінювалися просто в міру прогрівання радіатора. До речі, так, тут радіатор нарешті почав нагріватися, до цього він просто не встигав.

Думка: у попередніх транзисторів маленький кристал, який просто не встигає відводити тепло на підкладку, а самі транзистори — підробки. Але бентежив транзистор номер 9: зовні він же був такий самий, як номер 10.

Також можна помітити, що в транзисторів 5 і 9 опір був явно вищим, ніж у 10-го, і це щось би пояснювало, якби не транзистор номер 1, який поводився так само, але опір у нього був такий самий, як у номер 10...



Гаразд, перевіряю транзистори з номерами 3, 8, 2 і 6 — отримую ту саму картину, що й із першими трьома: швидкий лавиноподібний перегрів.


Ще раз відкриваю даташит і бачу, що максимальний струм транзистора — 13.1 А за температури корпусу 100 градусів, але в нас явно більше.
У примітці (1) сказано: Limited only by maximum temperature.


Спробую перевірити своє припущення щодо маленького кристала, для чого розкриваю транзистор номер 3 — він, як і інші, швидко перегрівався.


Одразу відзначаю масивну мідну підкладку. Цікаво, що фланець явно відрізняється від звичних TO-220, бо має виріз угорі. Підкладка товста, 1–1.1 мм, тож і тут проблем бути не повинно.


А ось тут я знову здивувався: кристал точно не маленький, він займає майже всю відведену для нього площу на підкладці.


Тут я розумію, що проблема не в площі кристала й не в підкладці, і знову лізу в даташит шукати інформацію про теплопередачу від кристала до корпусу.
І справді, транзистори бувають у звичайному й повністю ізольованому корпусі, відповідно, цей параметр у них відрізняється, а даташит і параметри перевірки спільні.
Для FullPak заявлений тепловий опір 3.6 градуса на ват, а для звичайного корпусу — 0.6, тобто різниця в 6 разів. Рахуємо: струм був 10 А, опір нехай 0.2 Ома, потужність на кристалі — 20 ват. Температура повітря нехай буде 30 (температура теплого радіатора), отже, 30+(20х3.6)=102 градуси. Але оскільки температура починала зростати, то зростав і опір; відповідно, за температури 100 градусів опір був, нехай, 0.3 Ома, а отже, потужність уже 30 Вт, і температура становитиме 30+(30х3.6)=138 градусів — цілком закономірно.



Висновки.
Загалом, на мою особисту думку, це оригінальні транзистори, але тестувати їх заявленим струмом 13.1 А некоректно, оскільки через погану теплопередачу від кристала до корпусу відбувається тепловий розгін кристала. Але ще більше дивує десятий екземпляр, який поводився явно інакше, тому виникає питання: чому так...
З усього, що я бачу, складається враження, що тестовий струм 13.1 А вказаний для транзисторів у звичайному виконанні. Тобто кристал розрахований на свої 20 ампер, але через значно гіршу теплопередачу від кристала до корпусу відведення тепла суттєво обмежене.

На сьогодні в мене все. Сподіваюся, було корисно. Також буду дуже радий вашим коментарям і думкам щодо цих транзисторів.
$5.30 10шт без учета доставки
Перейти до магазину
Цю сторінку знайшли, коли шукали:
20n60c3 datasheet на русском, транзистор sth20p039, an60 транзистор, sd20n60 транзистор характеристики на русском, 20n60c3 усилитель схема, spa16n60c3, 11т60с3, fha20n60, 20n60c3 datasheet, 20n60c3 транзистор характеристики на русском, 20n60c, 20n60c3 транзистор характеристики, различие транзисторов 20n60c от 20n60s, одинаковые ли транзисторы mosfet 7n60fc сравнить с 07n60c3, 20n60c3 игбт, моп транзистор 20nc603даташит на русском языке, аналоги 20n60c3, 20n60c3 аналоги, поддельные 20n60c3 с алиэкспресс, транзистор g20n60 даташ, драгметаллы в транзистерах 20n60c3, 20n60e5, n6c3 транзистор, 20n06 c3, 20n60c3 аналог

Цифри з цього огляду є в базі вимірювань: Інші пристрої

Порахувати самомуУсі калькулятори

Товари зі знижкою


Вас може зацікавити


Товари зі знижкою


Підтримати проєкт

Усі матеріали на сайті та поради безкоштовні, однак ми будемо вдячні за підтримку проєкту та каналу!

Коментарі2

Коментарі публікуються мовою оригіналу.

  1. 29 червня 2023 01:13#1
    Собстаенно по выше описанной вами причине Rds_on и измеряют в импульсном режиме. Как и крутизну.
    Когда-то баловался с "каноничными" измерениями, а потом убедился, что более простые замеры миллиомметром так же дают вполне репрезентативные данные "для личного пользования".
    Тестировал так, на примере STP4NK60ZPF: к d-s подключаем напряжение от линейного ЛБП примерно вдвое выше ожидаемого при падении на Rds_on, ограничиваем ток на уровне даташитных 2 А, на g-s от генератора подаем импульсы 10 В малой [но достаточной для "устаканивания" токовой ОС ЛБП] длительностии низкой частоты (для минимизации рассеиваемой кристаллом средней мощности и роста его температуры/сопротивления). Осциллографом захватываем и измеряем падение на начальном участке, сразу после транзиента ОС:

    В данном случае получается 3,7/2=1,85 Ом. Милиомметр в статическом режиме показал 1,73 Ом. Если бы уменьшил длительность импульса и напряжение на ЛБП "впритык", то разница была бы ещё меньше. В даташите указано 1,76 (typ) и 2 (max).
    +1
    1. 29 червня 2023 01:33#2
      У меня почти сразу была мысль подключить осциллограф и посмотреть, но доставать, подключать, измерять, потому собирать все обратно, плюс я понимал что я в итоге увижу, в общем забил :)
      Ну а так думаю здесь все таки нормальные транзисторы, но не для  таких длительных токов.

      0

Обговорити на форуміЄ запитання чи власний досвід? Обговоріть статтю з автором і читачами: на форумі зручно показувати схеми та фото.
Перейти на форум

Коментувати можуть зареєстровані читачі. Це займає хвилину, і можна увійти через той самий акаунт, що й на форумі.

УвійтиРеєстрація